11月2日消息，據(jù)媒體報(bào)道，在本季度將NAND閃存芯片報(bào)價(jià)調(diào)漲10%至20%之后，三星計(jì)劃明年一季度與二季度再次逐季調(diào)漲20%。三星表示，此舉是為了努力穩(wěn)定NAND價(jià)格、達(dá)成明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)的一系列行動(dòng)。根據(jù)近日三星向客戶公布的四季度官價(jià)，移動(dòng)DRAM合約價(jià)環(huán)比漲幅在11%-25%左右。NAND閃存方面，UFS4.0漲幅約2%，eMCP、uMCP漲幅不等，平均漲幅20%以上，最高漲幅高達(dá)66%。三星漲價(jià)的底氣主要還是來(lái)自于其減產(chǎn)計(jì)劃，在10月31日的財(cái)報(bào)會(huì)議上，三星執(zhí)行副總裁直言，“三星接下來(lái)的減產(chǎn)行動(dòng)，將比目前DRAM縮減產(chǎn)出的規(guī)模更大。”這也意味著，目前三星在積極提高報(bào)價(jià)的同時(shí)，也通過(guò)持續(xù)減產(chǎn)來(lái)控制市場(chǎng)供給量。作為全球存儲(chǔ)芯片的龍頭企業(yè)，三星帶頭漲價(jià)也將會(huì)使整體市場(chǎng)價(jià)格上漲。此外，隨著主要廠商減產(chǎn)，以及終端廠商需求的復(fù)蘇，NAND閃存預(yù)計(jì)在今年四季度開始價(jià)格反彈，并開啟新一輪上漲周期。來(lái)源：世界半導(dǎo)體論壇
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